可關(guān)斷晶閘管也屬于PNP四層三端結(jié)構(gòu)，其等效電路與普通晶閘管相同。盡管它與普通晶閘管在結(jié)構(gòu)和觸發(fā)導(dǎo)通原埋上相同，但兩者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式卻截然不同。普通晶閘管導(dǎo)通后欲使其關(guān)斷，必須使正向電流低于維持電流IH，或施加反問電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。而可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通后欲使其關(guān)斷，只要在控制極上加負(fù)向觸發(fā)脈沖即可。這種關(guān)斷原理上的區(qū)別就在于晶閘管導(dǎo)通之后的飽和狀態(tài)不同。普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深飽和狀態(tài)，而可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通后只處于臨界飽和狀態(tài)，所以只要給控制極上加上負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。
 

　　可關(guān)斷晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運(yùn)行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)中,在整流電路、靜態(tài)旁路開關(guān)、無觸點輸出開關(guān)等電路中得到廣泛的應(yīng)用。
 

　　(1)反向特性
 

　　當(dāng)門極G開路,陽極加上反向電壓時,J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,同時J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此后,會發(fā)生性反向擊穿。
 

　　(2)正向特性
 

　　當(dāng)門極G開路,陽極A加上正向電壓時,J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉(zhuǎn)折電壓”。
 

　　由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子進(jìn)入N1區(qū),空穴進(jìn)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合。同樣,進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿后，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉。這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏，便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)——通態(tài),此時，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，如圖2的BC段。
 

　　(3)觸發(fā)導(dǎo)通
 

　　在門極G上加入正向電壓時,因J3正偏,P2區(qū)的空穴進(jìn)入N2區(qū),N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內(nèi)部正反饋作用的基礎(chǔ)上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導(dǎo)通,導(dǎo)致伏安特性O(shè)A段左移,IGT越大,特性左移越快。