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英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K

英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K

型    號(hào)： FD800R33KF2C-K
報(bào)    價(jià)： 9999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

詳細(xì)資料：

英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K  IHM-A module

VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A

TypicalApplications
ChopperApplications
TractionDrives

MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability

德國英飛凌（EUPEC） 斬波電路IGBT
DF300R12KE3 FD200R12KE3 FD300R12KE3 FD400R12KF4
FD400R16KF4 FD400R17KF6-B2 FD400R33KF1 FD400R33KF2C
FD400R65KF1-K FD600R12KF4 FD600R17KF6-B2 FD600R17KF6
FD800R17KF6-B2 FD800R33KF1 F4-300R12KF4 F4-400R12KF4
F4-400R12KS4-B2 FD800R33KF2 F4-150R06KL4 　

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