北京京誠宏泰科技原裝正品銷售三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate

       CM800E2C-66H  CM800E4C-66H

　　CM800E6C-66H  CM400HG-66H

　　CM1200HG-66H  CM400HB-90H

　　CM600HB-90H   CM900HB-90H

　　CM600HG-130H

IGBT模塊以其驅(qū)動電路的小型化、系統(tǒng)的輕型和效率化，使用于電氣鐵路和大型產(chǎn)業(yè)機器等需要高耐壓、大電流的功率電子設備，正在取代已往使用的晶閘管、GTO。推出HV（High Voltage）IGBT模塊產(chǎn)品陣容。

特長

• 采用平面IGBT
• 采用軟恢復二極管
• AlSiC基板
• 高絕緣包裝（Viso 10.2kV,AC 1min）也是產(chǎn)品陣容
• 工作溫度范圍的擴大

主要用途

變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置